Elektronisches Gas
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Octafluorcyclobutan C4F8 5N in elektronischer QualitätMehrOctafluorcyclobutan C4F8, Gasreinheit: 99,999 %. Es wird häufig im Halbleiter-PECVD-Verfahren (Plasma Enhance. Chemical Vapour Deposition) verwendet. C4F8 wird als Ersatz für CF4 oder C2F6 verwendet
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